FQP8N80C
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.55 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 178 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 70 ns
正向跨导 - 最小值: 5.6 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
FDA38N30
FDA28N50
FDA59N30
FDA50N50
FDA28N50F
FQP47P06
HCPL2531
HCPL0453
HCPL2630
HCPL2631
HCPL2531S
HCPL0501
FAN53555UC08X
FQD2N100TM
HGTP10N120BN
HGTG40N120A4
HGTG10N120BND
HGT1S10N120BNS
SGL160N60UFDTU
FDD8447L
FQP27N25
RB521S30
KA1M0565RYDTU
RHRD660S9A
FGH75T65UPD
FGH75T65UPD-F155
RHRG30120
HGTG27N120BND
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