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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQPF10N60C | 600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtomini-mizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperfor-mance,andwithstandhighenergypul | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
FQPF10N60C | 600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductorÿsproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformanc | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | |
FQPF10N60C | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
FQPF10N60C | 600VN-ChannelMOSFET 文件：1.19884 Mbytes Page：10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
FQPF10N60C | 600VN-ChannelMOSFET 文件：1.02071 Mbytes Page：10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
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FQPF10N60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF10N60C
- 功能描述
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童Fairchild/FSC |
21+ |
TO220 |
3800 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
3650 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FAIRCHILD |
2016+ |
TO-220F |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
FSC |
23+ |
NA |
3500 |
全新原装假一赔十 |
|||
FSC |
2020+ |
TO-220F |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
20540 |
保证进口原装现货假一赔十 |
|||
FAIRCHILD |
2020+ |
TO-220F |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
ON/安森美 |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
FAIRCHILD原装正品专卖 |
23+ |
TO-220F |
69526 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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