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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

40A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.28611 Mbytes Page:9 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-8-11 9:43:01
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进口原装现货假一罚十价格合理

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