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BR40N20

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

BR40N20

中低压MOS≤200V

FOSHAN

蓝箭电子

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

CET-MOS

华瑞

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

40A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

更新时间:2026-1-1 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-23
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