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N-ChannelMOSFET

■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe

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浩海电子深圳市浩海电子有限公司

HAOHAI

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东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

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更新时间:2025-6-5 23:01:00
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