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芯片资料

精确

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■Features

Originative New Design

Superior Avalanche Rugged Technology

Robust Gate Oxide Technology

Very Low Intrinsic Capacitances

Excellent Switching Characteristics

Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.)

Extended Safe Operating Area

Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V

100% Avalanche Tested

Package: TO-220AB & TO-220F

FQP12N65C供应商...

更新时间：2025-11-26 17:08:00

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