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FQP12N65C

N-Channel MOSFET

■Features Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Te

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浩海电子

650V N-Channel Power MOSFET

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迪一电子

12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

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更新时间:2026-1-3 8:31:00
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