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FQD3N60CTM_WS价格
参考价格:¥1.9355
型号:FQD3N60CTM_WS 品牌:Fairchild 备注:这里有FQD3N60CTM_WS多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQD3N60CTM_WS批发/采购报价,FQD3N60CTM_WS行情走势销售排行榜,FQD3N60CTM_WS报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapp | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
3Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:363.66 Kbytes Page:8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
N-ChannelPowerMOSFET 文件:442.29 Kbytes Page:9 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 | |||
FastSwitching 文件:49.9 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件:1.08665 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
FQD3N60CTM_WS产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD3N60CTM_WS
- 功能描述
MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
23+ |
DIP |
3473 |
全新原装假一赔十 |
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台产 |
13+ |
TO-251 |
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MOT |
23+ |
CAN |
1560 |
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仙童 |
22+ |
TO-220 |
5200 |
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DG |
2023+ |
TO-252 |
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全新原装正品,优势价格 |
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MOT |
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CAN4 |
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TO-220 |
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AAT |
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VB |
TO-220 |
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FQD3N60CTM_WS规格书下载地址
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FQD1N80TM,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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2019-8-29
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