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FP1510SOT89

LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The FP1510SOT89 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.10 µm x 1500 µm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed “

FILTRONIC

FP1510SOT89

Low noise, high linearity packaged PHEMT

FILTRONIC

FP1510SOT89产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FP1510SOT89

  • 制造商

    FILTRONIC

  • 制造商全称

    FILTRONIC

  • 功能描述

    LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT

更新时间:2026-1-28 23:00:00
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SMD7050-4P
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