时间：2019-10-21 16:28:00
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 20 mW
封装 / 箱体: EconoPIM 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon / IR
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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EconoPIM3 Modul mit Trench | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   | ||
EiceDRIVER? 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
EconoPIM3 Modul mit Trench | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
EconoPIM3 Modul mit Trench | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
EconoPIM3 Modul mit Trench | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
EconoPACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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