制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 20 mW
封装 / 箱体: EconoPIM 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon / IR
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
