FN2A3Q晶体管资料
FN2A3Q别名：FN2A3Q三极管、FN2A3Q晶体管、FN2A3Q晶体三极管
FN2A3Q生产厂家：NEC
FN2A3Q制作材料：
FN2A3Q性质：中速 （MS）_开关管 （SW）_倒相器 （INV）
FN2A3Q封装形式：贴片封装
FN2A3Q极限工作电压：25V
FN2A3Q最大电流允许值：0.1A
FN2A3Q最大工作频率：<1MHZ或未知
FN2A3Q引脚数：3
FN2A3Q最大耗散功率：0.25W
FN2A3Q放大倍数：
FN2A3Q图片代号：H-12
FN2A3Qvtest：25
FN2A3Qhtest：999900
- FN2A3Qatest：0.1
FN2A3Qwtest：0.25
FN2A3Q代换 FN2A3Q用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching The CE2A3Q is a transistor of on-chip high hFE resistor incorporating dumper diode in collector to emitter as protect elements. This transistor is ideal for actuator drives of OA equipments and electric equipments. FEATURE | NEC 瑞萨 |   | ||
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6 V through 38 V of zener voltage provide flexible application. | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6V through 38V of zener voltage provide flexible application. | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply 文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Schottky Barrier Diodes 文件：75.27 Kbytes Page：2 Pages | SANKEN 三垦 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA |
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FN2A3Q规格书下载地址
FN2A3Q参数引脚图相关
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FN2A3Q数据表相关新闻
FN2030-30-08
优势渠道
2023-11-6FN2010B-16-06
FN2010B-16-06
2023-6-27FM富满音频供方系列IC代理现货长期供应价格优势！！！
富满代理全新现货价格优势长期供应！！ 联系方式 QQ：2880524282 Tel：755-88879678 型号： FM8002A SC8002B TC8002D TC8002CS FM8002E FM6809C TC0031 TC4158 TC4863X SC4871A/B PAM8403A SC2822 TC6019 TC6805 TC6871 TC8871 SC2256B/BS SC2313LX SC2314X SC2315X SC3610X TC
2019-7-17FN4819-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-4FN4496-先进的双PWM和线性功率控制
先进的双PWM和线性电源控制 该HIP6017提供了电源控制和保护三在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该IC集成了PWM控制器，线性稳压器和线性控制器以及到一个28引脚的监测和保护功能SOIC封装。调节PWM控制器微处理器核心电压，具有同步整流降压转换器。线性调节控制器的电力的GTL总线和线性稳压器提供电源时钟驱动电路。该HIP6017包括Intel兼容的TTL 5输入数字至模拟转换器（DAC），调整PWM的核心输出电压2.1VDC至3.5VDC以0.1V递增从1.8VDC至2.05VDC在0.05V为步骤。精密度参考和电压模式控制提供了± 1％的静态监管。线性稳压器
2013-2-20FN4871-多与ACPI控制接口线性电源控制器
该HIP6502B补充或者an HIP6020或 在微处理器ACPI兼容设计HIP6021和 计算机应用。该IC集成了四个线性 控制器/调节器，开关，监测和控制 功能到一个20引脚SOIC封装。一个线性控制器 产生的电压从ATX 3.3VDUAL/3.3VSB飞机 电源供应器的5VSB输出，供电和南桥 通过在睡眠外部晶体管的PCI插槽 状态（S3，S4/S5）。第二个晶体管用于开关 ATX 3.3V输出的操作过程中S0和S1/S2 （活动）的运行状态。两个线性控制器/稳压器 在选择供应一方或双方的计算机系统的 2.5V或3.3V电源通过外部存储器传递 晶体管在活跃状态。在睡眠状态，综合 通过晶
2013-1-29
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