时间：2020-6-11 10:28:00
产品种类: N沟道功率MOSFET
封装: TO-3P
晶体管类型: 1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流:Rds On-漏源导通电阻: 0.21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: ±30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
工作温度: - 55℃——+ 150℃
Pd-功率耗散: 315 W
N沟道MOSFET FMH23N50E具有保持了低功耗和低噪音，高雪崩耐用性和栅极阈值电压的窄频带的特点，广泛应用于开关稳压器，UPS （不间断电源）和DC- DC转换器。
FUJI富士FMH23N50E N沟道功率MOSFET
富士电机集团于1923年，由日本古河电气工业株式会社与德国西
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FUJI/富士电机 | 21+ | TO-3P | 2400 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
FUJI/富士通 | 22+ | TO-3P | 3 | 只做原装正品 | |||
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FUJI(富士电机) | 2526+ | Original | 50000 | 只做原装优势现货库存,渠道可追溯 | |||
FUJI | 12+ | TO-3P | 6000 | 原装正品现货 | |||
富士通 | 25+ | TO3P | 1056 | 原装正品,假一罚十! | |||
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FUJI(富士电机) | 24+ | N/A | 57048 | 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 | |||
FUJI/富士电机 | 2450+ | 8540 | 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
