产品种类: N沟道功率MOSFET
封装: TO-3P
晶体管类型: 1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流:Rds On-漏源导通电阻: 0.21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: ±30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
工作温度: - 55℃——+ 150℃
Pd-功率耗散: 315 W
N沟道MOSFET FMH23N50E具有保持了低功耗和低噪音,高雪崩耐用性和栅极阈值电压的窄频带的特点,广泛应用于开关稳压器,UPS (不间断电源)和DC- DC转换器。
FUJI富士FMH23N50E N沟道功率MOSFET
富士电机集团于1923年,由日本古河电气工业株式会社与德国西