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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FMG2G150US60 | Molding Type Module 文件：714.14 Kbytes Page：7 Pages | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FMG2G150US60 | 封装/外壳：7PM-HA 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 150A 595W 7PMHA 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FMG2G150US60 | Molding Type Module | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Molding Type Module | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：7PM-GA 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 150A 500W 7PMGA 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Molding Type Module 文件：642.46 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
Molding Type Module General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short ci | Fairchild 仙童半导体 | |
FMG2G150US60产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMG2G150US60
- 功能描述
IGBT 模块 Molding Type Module
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
IGBT |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
IGBT |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
7PMGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FAIRCHIL |
23+ |
150A600V |
362 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
FAIRCILD |
22+ |
MODULE |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
FAI |
23+ |
65480 |
|||||
FSC |
18+ |
MODULO |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
ON |
2526+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273752邹小姐 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
FMG2G150US60规格书下载地址
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2019-11-19
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