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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FMG2G150US60 | Molding Type Module 文件：714.14 Kbytes Page：7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | |
FMG2G150US60 | 封装/外壳：7PM-HA 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 150A 595W 7PMHA 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FMG2G150US60 | Molding Type Module | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Molding Type Module | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：7PM-GA 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 150A 500W 7PMGA 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Molding Type Module 文件：642.46 Kbytes Page：9 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | ||
Molding Type Module General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short ci | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |
FMG2G150US60产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMG2G150US60
- 功能描述
IGBT 模块 Molding Type Module
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
07+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
FAIRCHLD |
18+ |
MODULE |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
FAIRCILD |
22+ |
MODULE |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
MODULE |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
FAI |
23+ |
65480 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
MODULE |
78 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
模块 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
ON |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273752邹小姐 |
|||
onsemi |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
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- FMG2G50US120
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-11-19
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