位置:首页 > IC中文资料第1101页 > FMG2G150US60E
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
FMG2G150US60E | MoldingTypeModule 文件:642.46 Kbytes Page:9 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
FMG2G150US60E | 封装/外壳:7PM-GA 包装:托盘 描述:IGBT MODULE 600V 150A 500W 7PMGA 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
MoldingTypeModule 文件:714.14 Kbytes Page:7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
MoldingTypeModule GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
FMG2G150US60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMG2G150US60E
- 功能描述
IGBT 模块 600V/150A/Module
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
IGBT |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCILD |
22+ |
MODULE |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
模块 |
2010 |
||||
FAIRCHIL |
23+ |
150A600V |
362 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
IGBT |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
7PMGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FAI |
23+ |
65480 |
|||||
FAIRCHILD |
2018 |
模块 |
300 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
FMG2G150US60E规格书下载地址
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2019-11-19
DdatasheetPDF页码索引
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