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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FMC11N60E | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
FMC11N60E | N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET 文件:626.98 Kbytes Page:5 Pages | FujiFUJI CORPORATION 株式会社FUJI | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件:1.85356 Mbytes Page:8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
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iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件:297.95 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
FMC11N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMC11N60E
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
F |
23+ |
T-PACK(S) |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
FUJI/富士电机 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
VBSEMI |
19+ |
TO263 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
FUJITSU/富士通 |
TO-263 |
500063 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
23+ |
N/A |
90550 |
正品授权货源可靠 |
||||
FUJI/富士电机 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
FUJ |
22+ |
SMD |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
|||
FUJITSU/富士通 |
21+ROHS |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
FUJI |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
FMC11N60E规格书下载地址
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2019-11-19
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