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FMC1晶体管资料

  • FMC1(A)别名：FMC1(A)三极管、FMC1(A)晶体管、FMC1(A)晶体三极管

  • FMC1(A)生产厂家：

  • FMC1(A)制作材料：Si-N/P+R

  • FMC1(A)性质：表面帖装型 （SMD）

  • FMC1(A)封装形式：贴片封装

  • FMC1(A)极限工作电压：50V

  • FMC1(A)最大电流允许值：0.1A

  • FMC1(A)最大工作频率：<1MHZ或未知

  • FMC1(A)引脚数：5

  • FMC1(A)最大耗散功率：

  • FMC1(A)放大倍数：

  • FMC1(A)图片代号：H-21

  • FMC1(A)vtest：50

  • FMC1(A)htest：999900

  • FMC1(A)atest：.1

  • FMC1(A)wtest：0

  • FMC1(A)代换 FMC1(A)用什么型号代替：

FMC1价格

参考价格：￥4.0763

型号：FMC12A2200000 品牌：Apem 备注：这里有FMC1多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FMC1批发/采购报价，FMC1行情走势销售排行榜，FMC1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FMC10N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC11N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC12N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC12N50ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC12N60ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC13N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC13N60ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC16N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC16N50ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC16N60ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.47Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMC1819C6-02

Ku, K-Band Poewr GaAs Modules

FEATURES HighOutputPower:P1dB=18dBm(Typ,) HighGain:G1dqB=14.5dB(Typ,) LowIn/OutVSWR BroadBand:18.7~19.7GHz ImpedanceMatchedZin/Zout=5082 HermeticallySealedPackage(12X15X3.5mmi)

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu
FMC1819LN-02

KU,K-Band Poewr GaAs Modules

FEATURE *HighOutputPower:P1dB=12dBm(Typ,) *HighGain:G1dB=13.5dB(Typ,) *LowIn/OutVSWR *LowNoise;NF=2.5dB(Typ,) *BroadBand:18.7~19.7GHz *ImpedanceMatchedZin/Zout=508 *HermeticallySealedPackage(12X15X3.5mmi)

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu
FMC1819P1-01

Ku-K-Band Power CaAs Modules

FEATURES *HighOutputPower:PldB=21dBm(Typ,) *HighGain:G1dB=13.5dB(Typ,) *LowIn/OutVSWR *BroadBand:18.7~19.7GHz *ImpedanceMatchedZin/Zzout=508 *HermeticallySealedPackage(12X15X3.5mm)

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu
FMC10102WHTH

封装/外壳：0402（1005 公制） 包装：散装 描述：FUSE CHIP 1A 24VDC 0402 电路保护 保险丝

kamaya

Kamaya Inc.

kamaya
FMC10132ABTH

封装/外壳：0402（1005 公制） 包装：散装 描述：FUSE CHIP 1.25A 24VDC 0402 电路保护 保险丝

kamaya

Kamaya Inc.

kamaya
FMC10N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

文件：642.92 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC11N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：626.98 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC12A2100000

Snap-in rocker switches - panel cut-out 19 x 13 (.750 x .508)

文件：279.09 Kbytes Page：3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
FMC12N50E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：523.12 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC12N50ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：570.79 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC12N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：589.27 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC13DRYH

.100 2.54 mm Contact Centers, .431 10.95 mm Insulator Height, Dip Solder/Eyelet/Right Angle for .062 1.57 mm or .031 0.79 mm Mating PCB

文件：731.3 Kbytes Page：2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
FMC13N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：529.01 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC13N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：594.48 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC1607

UL 1977 Effortless & Arcless Din Connectors 160A/320A/430A

文件：5.034 Mbytes Page：3 Pages

AIOAmphenol Industrial Products Group.

安费诺安费诺工业全球营运部

AIO
FMC16N50E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：438.31 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC16N50ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：543.2 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC16N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：532.12 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMC16N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：583.63 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji

FMC1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMC1

  • 制造商

    Pacific

  • 功能描述

    CLOSED BUSHING 10MM

FMC1供应商更多...

更新时间：2024-6-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
FMC1213-4C
FUJITSU/富士通
23+
NA/
1
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市星辰微电科技有限公司
FMC10N60E
FUJI/富士电机
23+
N/A
11550
FUJI/富士电机系列在售
询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
FMC121301-01
FUJITSU/富士通
23+
355
现货供应
询价
深圳兆威电子有限公司
FMC10N60E
FUJITSU/富士通
23+
T-pack(S)TO-263
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
询价
深圳市跃创芯科技有限公司
FMC10N60E
FUJI/富士电机
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
FMC11N60E
FUJITSU/富士通
TO-263
500063
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
FMC1213P1-01
FUJ
22+
SMD
2789
全新原装自家现货!价格优势!
询价
深圳市惊羽科技有限公司
FMC10N60E
FUJITSU-富士通
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
FMC1213P1-01
FUJITSU/富士通
21+ROHS
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
深圳市百诺芯科技有限公司
FMC121301-01
FUJITSU/富士通
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
询价

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