| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.17689 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 |   | ||
功率MOS/中低压功率MOS | FS | | ||
功率MOS/中低压功率MOS | FS | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.94384 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.06059 Mbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package 文件：893.02 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：420.84 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FIRST |
23+ |
TO-252 |
1000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FIRST |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
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FIRST/福斯特 |
23+ |
TO220 |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FIRST(福斯特) |
2447 |
TO-220F(TO-220IS) |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
First原装正品 |
24+ |
TO-252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
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美国FIRST |
23+ |
10A200VTO-252 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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First |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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FIRST福斯特 |
24+ |
FIRST |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FIRST福斯特 |
FIRST |
20000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
FIR100N10规格书下载地址
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2019-11-30FIN1001
原装现货
2019-9-6FIR7NS65AF
FIR7NS65AF，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-12
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