FGP5N60LS价格

参考价格:¥4.0801

型号:FGP5N60LS 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FGP5N60LS多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGP5N60LS批发/采购报价,FGP5N60LS行情走势销售排行榜,FGP5N60LS报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGP5N60LS

600V, 5A Field Stop IGBT

文件:252.32 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FGP5N60LS

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGP5N60LS

IGBT,600V,5A,场截止

ONSEMI

安森美半导体

4.5 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching application

UTC

友顺

4.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:242.68 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:254.02 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

Power MOSFET

文件:1.06579 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Power MOSFET

文件:396.63 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

FGP5N60LS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGP5N60LS

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
FAIRCHILD/仙童
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原装正品,假一罚十!
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TO-220-3
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全新原厂原装产品、公司现货销售

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