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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGL60N100DTU

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 1000V 60A 176W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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General Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conduction and switching to planar gate structure, and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for IH applications Features • High Speed Switching • Low

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FGL60N100DTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N100DTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 60A 1000V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-20 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
FAIRCHILD/仙童
25+
TO264
880000
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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郑重承诺只做原装进口现货
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