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FGL60N100BNTDTU价格

参考价格:¥12.9224

型号:FGL60N100BNTDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有FGL60N100BNTDTU多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGL60N100BNTDTU批发/采购报价,FGL60N100BNTDTU行情走势销售排行榜,FGL60N100BNTDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGL60N100BNTDTU

1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

文件:394.77 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGL60N100BNTDTU

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

Electrical Characteristics of IGBT

General Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conduction and switching to planar gate structure, and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for IH applications Features • High Speed Switching • Low

FAIRCHILD

仙童半导体

NPT-Trench IGBT

文件:682.03 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

NPT-Trench IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

FGL60N100BNTDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N100BNTDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 HIGH_POWER

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-18 21:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
TO-264
32360
ONSEMI/安森美全新特价FGL60N100BNTDTU即刻询购立享优惠#长期有货
onsemi(安森美)
25+
-
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
三年内
1983
只做原装正品
ONSEMI/安森美
24+
TO-264
9000
现货现货现货,滚动式排单供货
FSC/ON
23+
原包装原封□□
750
原装进口特价供应特价,原装元器件供应,支持开发样品更多详细咨询库存
FAIRCHILD/仙童
21+
TO264
1709
FGL
23+
DIP64
65480
ON(安森美)
23+
TO-264
9090
公司只做原装正品,假一赔十
FAIRCHILD/仙童
2450+
TO-247
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ONSemi
2134
TO-264-3
15860
全新原装公司现货

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