FGL60N100BNTD价格

参考价格:¥20.0104

型号:FGL60N100BNTD 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FGL60N100BNTD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGL60N100BNTD批发/采购报价,FGL60N100BNTD行情走势销售排行榜,FGL60N100BNTD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGL60N100BNTD

1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGL60N100BNTD

NPT-Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGL60N100BNTD

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

NPT-Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

FGL60N100BNTD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N100BNTD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 HIGH_POWER

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-264-3
924
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
FAIRCHILD
24+
TO-264
20540
保证进口原装现货假一赔十
FSC
1926+
TO-3PL
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ON/安森美
2023+
TO-264
43875
专注全新正品,优势现货供应
FAIRCHILD原装一盒375
25+23+
TO-264
18380
绝对原装正品全新进口深圳现货
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-264
350
原装正品,假一罚十!
ON/安森美
21+
TO-264-3
3950
原装现货支持BOM配单服务
ON(安森美)
24+
TO-264-3
7068
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ON/安森美
2020+
TO-264
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FAIRCILD
22+
TO-264
8000
原装正品支持实单

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