FGL60N100BNTD价格

参考价格:¥20.0104

型号:FGL60N100BNTD 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FGL60N100BNTD多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGL60N100BNTD批发/采购报价,FGL60N100BNTD行情走势销售排行榜,FGL60N100BNTD报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGL60N100BNTD

1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

文件:394.77 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGL60N100BNTD

NPT-Trench IGBT

文件:682.03 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGL60N100BNTD

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGL60N100BNTD

1000V,60A,NPT 沟槽 IGBT

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

NPT-Trench IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

FGL60N100BNTD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N100BNTD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 HIGH_POWER

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 18:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSemi
2134
TO-264-3
15860
全新原装公司现货
FAIRCHILD
23+
TO-264
33200
仙童
23+
TO-3P
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
FAIRCHILD
24+
TO-247AC
3000
全新原装环保现货
ON(安森美)
23+
TO-264
9090
公司只做原装正品,假一赔十
FAIRCHILD
25+
TO-264
20540
保证进口原装现货假一赔十
ON(安森美)
24+
TO-264-3
8839
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货
仙童
05+
TO-264
1200
原装进口
NA
23+
NA
26094
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
FAIRCHIL
25+
TO-264
18000
原厂直接发货进口原装

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