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IGBT - Field Stop, IV/4 Lead

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ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-247-4 包装:管件 描述:650V/75 FAST IGBT FSIII T 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.1V@IC=75A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters

ISC

无锡固电

IGBT – Hybrid, Field Stop, Trench 650 V, 75 A, TO247

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL75T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

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安森美半导体

Field Stop Trench IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A

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安森美半导体

Hybrid Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A, TO247

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安森美半导体

更新时间:2025-8-9 23:01:00
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