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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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AFGH75T65SQ | Trench gate Field-Stop IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.1V@IC=75A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters | ISC 无锡固电 |   | |
IGBT – Hybrid, Field Stop, Trench 650 V, 75 A, TO247 Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL75T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Field Stop Trench IGBT 文件：246.44 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A 文件：340.62 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Hybrid Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A, TO247 文件：261.649 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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