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位置：首页 > IC中文资料第746页 > FGH40N65UFDTU

FGH40N65UFDTU价格

参考价格：￥14.9168

型号：FGH40N65UFDTU 品牌：Fairchild 备注：这里有FGH40N65UFDTU多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FGH40N65UFDTU批发/采购报价，FGH40N65UFDTU行情走势销售排行榜，FGH40N65UFDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH40N65UFDTU

650V,40AFieldStopIGBT

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH40N65UFDTU

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH40N65UFDTU

IGBT-FieldStop650V,40A

Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’sfield stopIGBTsoffertheoptimumperformanceforAutomotiveChargers, Inverter,andotherapplicationswherelowconductionandswitching lossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH40N65UFDTU

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH40N65UFDTU-F085

IGBT-FieldStop650V,40A

Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’sfield stopIGBTsoffertheoptimumperformanceforAutomotiveChargers, Inverter,andotherapplicationswherelowconductionandswitching lossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH40N65UFDTU-F085

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH40N65UFD

650V,40AFieldStopIGBT

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGA40N65SMD

FieldStopIGBT650V,40A

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,inductionheating,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Featu

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGA40N65SMD

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
DAM40N65H

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO
FGA40N65SMD

NewProducts,TipsandToolsforPowerandMobileApplications

文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FGH40N65UFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH40N65UFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-ch/40A 650V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

FGH40N65UFDTU供应商更多...

更新时间：2025-8-5 8:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市英科美电子有限公司
FGH40N65UFDTU
FAIRCHILD/仙童
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亚泰电子科技有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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FAIRCHILD/仙童
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