FGH30N60LSDTU价格

参考价格:¥37.8123

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGH30N60LSDTU

Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A

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Fairchild

仙童半导体

FGH30N60LSDTU

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 60A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

文件:1.9827 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

文件:672.35 Kbytes Page:15 Pages

DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:281.61 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:264.01 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

FGH30N60LSDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH30N60LSDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PDD

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 12:01:00
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