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FGD5T120SH

1200 V, 5 A FS Trench IGBT

Features • FS Trench Technology, Positive Temperature Coefficient • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) =2.9 V @ IC = 5 A • 100% of the Parts tested for ILM(1) • High Input Impedance • RoHS Compliant Applications • Inrush current limitation • Lighting • Home app

ONSEMI

安森美半导体

FGD5T120SH

IGBT,1200V,5A,FS 沟槽

ONSEMI

安森美半导体

FGD5T120SH

1200 V, 5 A FS Trench IGBT

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Fairchild

仙童半导体

3mm Photo Transistor

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3mm Photo Transistor

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更新时间:2025-12-30 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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2669
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TO-252-3 DPak(2 引线 + 接片
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