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FGAF30S65AQ

Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 V

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for PFC applications and welder where low conduction and switching losses are essential. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C • Positi

ONSEMI

安森美半导体

FGAF30S65AQ

封装/外壳:TO-3P-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 650V 30A TO-3PF 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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安森美半导体

FGAF30S65AQ

IGBT, 650 V,30A Field Stop Trench

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安森美半导体

Low Reverse Recovery Current

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MICROSS

更新时间:2025-12-31 21:38:00
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