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BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

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更新时间:2026-1-1 11:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BEREX
22+
SOT-89
30000
只做原装正品
BEREX
23+
SOT-89
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
BEREX
25+
SOT-89
880000
明嘉莱只做原装正品现货
BEREX
23+
SOT-89
7300
专注配单,只做原装进口现货
BEREX
23+
SOT89
50000
全新原装正品现货,支持订货
MINI
24+
25
BEREX
2025+
SOT-89
800
BOURNS
23+
TO-247
1200
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
BEREX
2022+
427
全新原装 货期两周

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