FF900R12IP4D价格

参考价格:¥4814.8758

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FF900R12IP4D

PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr철횩ererEmitterControlled4DiodeundNTC

ElectricalFeatures •ExtendedOperationTemperatureTvjop •HighDCStability •HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent •UnbeatableRobustness •EnlargedDiodeforregenerativeoperation •VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient •LowVCEsat MechanicalFea

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FF900R12IP4D

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK™

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK™IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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PrimePACK2ModulmitTrench

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PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures •ExtendedOperationTemperatureTvjop •HighDCStability • HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShort CircuitCurrent •LowVCEsat •UnbeatableRobustness •VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient •EnlargedDiodeforregenerativeoperation Mechanica

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封装/外壳:模块 包装:托盘 描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr철횩ererEmitterControlled4Diode

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FF900R12IP4D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FF900R12IP4D

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-5-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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