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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DF900R12IP4D | PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr철횩erer Emitter Controlled 4 Diode 文件：1.24599 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
DF900R12IP4D | IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
Technische Information / Technical Information 文件：1.76915 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode 文件：523.61 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Technische Information / Technical Information 文件：1.7711 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
PrimePACK2 Modul mit Trench 文件：1.72467 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | |
DF900R12IP4D产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF900R12IP4D
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 900A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AG-PRIME2-1 |
909 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
1748 |
3 |
原装现货支持BOM配单服务 |
||||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-PRIME2-1 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-PRIME2-1 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
AG-PRIME2-1 |
315000 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
AG-PRIME2-1 |
8000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
1820 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-PRIME2-1 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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2019-9-6
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