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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FD900R12IP4D | PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode 文件：523.61 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
FD900R12IP4D | 1200 V、900 A斩波IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
Technische Information / Technical Information 文件：1.7711 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr철횩erer Emitter Controlled 4 Diode 文件：1.24599 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
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PrimePACK2 Modul mit Trench 文件：1.72467 Mbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | |
FD900R12IP4D产品属性
- 类型
描述
- 型号
FD900R12IP4D
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT 1200V 900A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFIENON |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
- |
31500 |
3个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Infineon |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273017邹小姐 |
|||
Infineon |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
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2019-11-15
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