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DF900R12IP4D中文资料

厂家型号

DF900R12IP4D

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1245.99Kbytes

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9

功能描述

PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr철횩erer Emitter Controlled 4 Diode

IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 900A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

DF900R12IP4D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DF900R12IP4D

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 900A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-11 11:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG-PRIME2-1
909
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
Infineon
22+
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon
19+
MODULE
176
原装进口实单来谈
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
INFINEON
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
Infineon/英飞凌
25
AG-PRIME2-1
6000
原装正品
INFINEON/英飞凌
2023+
module
48000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
Infineon/英飞凌
2023+
AG-PRIME2-1
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供