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Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.1V@IC=75A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters

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无锡固电

IGBT – Hybrid, Field Stop, Trench 650 V, 75 A, TO247

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL75T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

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安森美半导体

Field Stop Trench IGBT

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安森美半导体

Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A

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安森美半导体

Hybrid Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A, TO247

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更新时间:2025-10-17 11:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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