FDS4559-F085

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-11-9 9:11:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 4.5 A, 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms, 105 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 3 V

Qg-栅极电荷: 18 nC, 21 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: PowerTrench

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 6 ns, 12 ns

正向跨导 - 最小值: 14 S, 9 S

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns, 10 ns

系列: FDS4559_F085

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

类型: Complementary Power Trench MOSFET

典型关闭延迟时间: 19 ns, 19 ns

典型接通延迟时间: 11 ns, 7 ns

宽度: 3.9 mm

零件号别名: FDS4559_F085

单位重量: 230.400 mg

2025-8-17 17:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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