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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 30 A, 24 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

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Fairchild

仙童半导体

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-28 13:20:01
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