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MCP4725A0T-E/CH
类型:DAC,数模转换芯片
厂家:Microchip
分辨率:12bit
工作电压:2.7V-5.5V
工作电流:400uA max.
接口:I2C
工作温度:-40゜C ~ +125゜C
封装:SOT23-6
差分非线性(DNL):正负0.2 LSB
地址位:A0
内置EEPROM,掉电可存储CODE
转换器芯片包括A/D转换器芯片和D/A转换器芯片。模数转换器即A/D转换器,或简称ADC,A代表模拟量 D代表数字量,通常是指一个将模拟信号转变为数字信号的电子元件。 数模转换器,又称D/A转换器,简称DAC,它是把数字量转变成模拟的器件。
中文名 转换器芯片 外文名 converter chip 分 类 A/D转换器芯片和D/A转换器芯片 应用领域 计算机、数据库等 主要参数 模拟输出、工作方式等 工作方式 单缓冲、多缓冲等
目录
1 产品资料
2 产品功能
3 工作方式
4 工作原理
5 产品分类
产品资料编辑
DAC0832是8位D/A转换芯片,如图lo一5所示。其片内具有双输入缓冲,电流形式输出,所需建立时间为lMs,功耗为20mW。 [2]
产品功能编辑
D0~D7:输入数据线。
ILE:允许输入锁存信号,ILE=1,允许锁存。
LE1,LE2:输入寄存器的锁存信号,当LE1=1时,8位输入寄存器的输出随输入变化;当LE1=0时,数据锁存在8位输入寄存器。能否进行D/A转换,还取决于LE2。当LE2=1时,数据送到8位DAC寄存器的输出,当LE2=0时,数据锁存在8位DAC寄存器中,并开始D/A转换。
CS:片选信号,低电平有效。
WR1:输入寄存器写选通信号,低电平有效。当ILE=1且CS为低,WR1由低电平到高电平跳变时,数据被锁存到8位输入寄存器。
XFER数据传送控制信号,低电平有效。
WR2: DAC寄存器写选通信号,低电平有效。
当XFER为低,WR2由低电平到高电平跳变时,数据被锁存到8位DAC寄存器,启动D/A转换。
Iout1:DAC输出电流1。
Iout2:DAC输出电流2。
Rfb :反馈信号输入线,为外部放大器提供一个反馈电压,Rm可由内部提供,也可以采用外接电阻的方式。
Vrtf: 参考电压输人线,范围为一10V~+10V。
Vcc: 电源线,一般为+5V~+15V。
AGND模拟地。
DGND数字地。
AGND与DGND这是两种不同性质的地,应单独连接。一般情况下,这两种地最后只有一点接在一起,以提高抗干扰的能力。
工作方式编辑
DAC0832片内具有双输入缓冲,它有三种工作方式。
①单缓冲。此方式用于一路或多路模拟量非同步输出的情况。实现时使两个寄存器中的一个直通,另一个受控。
②双缓冲。此方式用于多路模拟量同步输出的情况,实现时使两个寄存器都受控,先分别使多路DAC0832的8位输入寄存器接收数据,再控制多路DAC0832同时将数据传送到DAC寄存器,以实现多路模拟量的同步输出。
③直通。此方式适用于连续反馈控制线路中,使ILE、CS、WR1、WR2、XFER都有效。
模拟输出
①单极性输出。DAC0832是电流型输出,如要求电压输出,只要外接一个运算放大器即可,如图所示。
图中Iout2接地,Iout1接放大器的反相输入端,故输出电压U与参考电压Vrcf一反相。当Vrcf接一5V时,输出电压范围是o~+5V。
②双极性输出。在单极性电路的基础上,加上一级放大器.就构成双极性电压输出,如右图。
工作原理编辑
DAC1210是12位D/A转换芯片,片内具有双输入缓冲,电流输出,引脚/内部结构如图所示。与DAC0832不同,除了数据线多了4位外,多了一个高低位选择信号B1/B2,该信号为高电平时选择8位输入寄存器,低位寄存器不受B1/B2控制。因此在写入12位数据时,应使用双缓冲方式,即第一次写入高8位数据,第二次写入低四位数据。
转换时间指A/D转换器完成一次转换所需的时间。
产品分类编辑
ADC0809的结构和主要指标
ADC0809是8位逐次逼近式A/D转换器,如图所示,有一个8位的逐次
逼近式A/D转换器、8路模拟开关、地址锁存与译码逻辑等。芯片内有8路模拟开关,可选择8个模拟量输入。
主要指标
分辨率——8位。
转换时间——100υs。
时钟频率——典型值640kHz(10kHz~1280kHz)。
总不可调误差——±1 LSB。
模拟量输入范围——0~+5V。
工作温度——一40~+85℃。
具有锁存控制的8路模拟开关。
输出具有三态缓冲器,易与微机相连。
输出具有三态缓冲器,易与微机相连。
引脚
ADC0809的引脚如图10一18所示。
IN7~IN0:8路模拟输入信号。
ADDA、ADDB、ADDC:地址选择。
ALE:地址锁存信号,正跳变地址锁存。
START:启动转换信号,该信号的上升沿清除内部寄存器,下降沿启动A/D开始转换。
EOC:转换结束信号,转换结束输出一个宽为8个CLK周期的正脉冲。
OE:输出允许信号,高电平转换结果送数据线。
VREF+、VREF-:基准电压。
D0~D7:8位三态数据输出线。
CLK:转换时钟。一般640kHz。
Vcc:电源+5V。
工作时序
ADC0809的工作时序如图所示。由START信号的一个正脉冲启动A/D转换,上升沿后的2υs加8个时钟周期后,EOC信号将变低,指示转换正在进行中,转换结束后EOC变为高电平。
AD574A的结构和主要指标
AD574A是12位逐次逼近式A/D转换器,如图所示,它包括
一个12位的D/A转换器、基准电源、逐次逼近寄存器、转换控制电路、时钟、总线接口和高性能比较器。
主要指标如下
分辨率——12位。
转换时间——25υs。
非线性误差——AD574AJ为±1LSB,AD574AK为±1/2LSB。
模拟量输入范围——0~+10V,0~+20V,±5V,±10V。
功耗——典型值为390mW。
基准电源——内部有高精度参考电压,只需外接一个合适的电阻。
接口——内有输出三态缓冲器,可直接与8位或16位微处理器接口。
引脚
AD574A的引脚
DB11~DB0:12位数字量输出。
10Vin:模拟量10V量程输入。
20Vin:模拟量20V量程输入。
BIP:双极性偏置,当接地时,选择单极性接法;如果使用双极性接法,则应将其接到一个电位器的一端,电位器的另一端接Rout。
CS:片选信号,低电平有效。
CE:芯片允许信号,高电平有效。
A0:选择转换数据长度,在启动时,A0=0,表示进行12位转换;A0=1,表示进行8位转换。在读数据时,A0=0表示读高8位;A0=1表示读低4位。
R/C:读/启动转换信号,低电平时表示启动转换;高电平时表示输出数据。
12/8:选择数据输出格式,当12/8=1时,表示读取12位数据,当12/8=0时,表示按高8位加低4位的方式,分两次读取数据。
STS:输出状态信号,转换开始时变为高电平,转换期间保持高电平.转换结束变为低电平。
Rin和Rout:参考电压输入和输出端。一般在二者之间接一个100Ω的电阻或电位器。
RGA220M1HBK-0511
WIW1028 3386P型
3296W/X/Y/P/Z
WIW1012(3006P)
WIW3269W/X/P多圈玻璃釉电位器
WIW1036(3323/P/U/R)
WIW1028(3386P/W/X/C)
WIW1028(3386长轴F/Y/R/
WJ14螺杆非线绕预调玻璃釉电位器
WIW3329H/P/X/S
WIW1015(3266W/X/P/Y
WIW3082P型预调玻璃釉电位器
WIW3362P/X/U/R/S型
WIW3009(93PR型)玻璃釉电位
RGA101M1CBK-0511
EDG110S
EDG110SRA
ESP1010台湾百容 ECE
蓝色EDS107SZ
EPS108AZ
EPS108SZ
CCH477
EAD102EZ
BQ24103ARHLR
DS90C385AMTX
BCT4222C
TS-1100
CM3652C3WZ
MP1542DK-LF-Z
MC-146
ACT8937QJ11C-T
MW269V3:1000
LPW5202B5F
ALM-1412-TR1G
BRCM4319
V12P10-M3/86A
FH34S-8S-0.5SH(50)
HEF4046
HEF4049
HEF4053
AO2301
AO3401
AO3415
UC3842
UC3843
TD2822
AM2359P-T1-PF
NT1742-B4B5 DFN-8L
LD1117S33
LD1117SADJ
LM1117-1.8
LM1117-2.5
LM1117--3.3
LM1117-ADJ
NCV1117ST33T3G
NCV1117STAT3G
NCV1117ST50T3G
NCV1117ST18T3G
NCV1117STADJ
FDMC6683
8205
DW07
LP4060
AT24C02
AT24C08
AT24C32
78M06
78M08
78M10
78M12
AXT524124
RU7080R TO-220
STM8L151K6T6
AXT624124
T5551-N7 SOT-23
SFH-1412A
AMS1117-3.3
LD1117S18TR
LD1117S25
7806
7809
LM324
LM339
AS339
UC3842
UC3843
74HC00
74HC04
74HC08
74HC14
74HC164
74HC4052
74HC4053
CD4046
CD4049
CD4050
CD4052
CD4069
CD4093
CD4045
CD4011
STM32F427IIH6
STM32F100VBT6B
STM32F205VCT6
STR751FR2T6
STM32F429IET6.
STM32F427IIT6
N32916U1DN
NUC123SD4ANO
N32926U1DN
NCT3521U
NUC140LE3CN
NUC505DL13Y
CS51414EDR8G
W55FL95DDN
X93256WV14IZ-2.7T1
HIP4082IBZT
ICL7660CBAZ-T
ISL59110IEZ-T7
ISL6545CBZ-T
X9C103PIZ
X9C104PIZ
ISL6208CBZ-T
MT6616RN/B
MMC3140MS
TXB0104ZXUR
EMB20P03V
RB521S-30FJTE61
XR2204
BCM4751IUBG
SGM3140YD10G/TR
AW6332QNR
VC7810E
AP33-Z-A3
RM3110018Y0000
H5MS2562NFR-E3M
K5N5666ATD-BQ12
PCMEE031B-R47MS
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LM2596S-ADJ
MS90C385
TY8A0A111151KC
88PM8607-BIX2
88PG8211A2-NXS2C000-T
88PM8606-NNY2
MT6161AN/C
MT6253ASN/B
U.FL-R-SMT-1(10)
SM5S24AHE3/2D
B-XH0414HOARII02E
MT5921A/A
PM7540-000
71PL127NBOHFW413
AW-GH320
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SAA65881
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PF38F3050M0Y0CE
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ADXL345BCCZ-RL7
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RDA5802E
OVM7692-RYAA
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AW6302QNR
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RTC6667
88PM8607D0
88CP920-A1
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AR7643-LF
MT6235BA/H
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25LQ128YIG
RPF88162B
MSM-8225-0-576NSP
M36W0R6050U4ZS
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NTTFS3A08PZTWG
D2037
CUC5810
BCM4330FKUBG
SKY13404-466LF
TQM7M5012
SE2528L-R
SKY77621 -11
SMB-1360-0-30DWLNSP-TR-03-0-11
B39901-B9431-M410-S05
B7921
B9425
SAFEA942MFL0F00R15
B9432
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SAWFD1G84CM0F0AR15
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B39202B7970P810
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BF2012-E2R4DAA
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SKY77702
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CP2123ST-A1
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EDS107SZ,拨码开关 7位 2.54MM 平拨开关
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ECE平拨银脚拨码开关EDS系列
ECE平拨金脚拨码开关EDG系列
ECE侧拨琴键式金脚开关EPG系列
ECE侧拨琴键式银脚开关EPS系列
平拨90度弯脚EDGXXXSRA系列
ECE三态拨码开关系列
ECE窄体IC型拨码开关EAH系列
ECE窄体IC型拨码开关EAM系列
2.54MM贴片拨码开关EAD系列
2.54MM贴片拨码开关ESD系列
1.27MM贴片拨码开关EHS系列
滑动开关ESP系列
ESP1010
导读:宏旺半导体ICMAX宣布大规模生产单颗8GB LPDDR4X,这是业内首家量产。LPDDR4X 8GB量产表明ICMAX产品线日渐丰富完善,现提供全面先进的嵌入式存储产品,为搭载8GB移动dram和512GB存储的智能手机新时代提供更高性能,相信LPDDR4X 8GB上市后将对现有的手机市场造成强有力冲击。新的存储方案具有比多数手机运行更高的存储容量,使用户能够充分体验大存储时代的便利,不用再担心手机系统提醒“存储空间不足”。
如今,中国正在各个半导体领域切入自己的力量,破除国外垄断,包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等,DRAM内存也是时候了。
中国芯片设计公司兆易创新近日发布公告,宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司(简称合肥产投)于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。
双方约定,将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆(12英寸)、19nm工艺存储器的研发项目,包括DRAM内存颗粒。
智能手机中,除了芯片是更新换代的大件,手机内存也是在每一年都会迎来新变化ICMAX即将推出的LPDDR4X 8GB想必大家都不会陌生,LPDDR(Low Power Double Data Rate),通俗说的就是低功耗移动内存,广泛运用于手机、平板、智能后视镜、vr、广告播放机、POS机等移动电子产品中。手机端它就是手机运行内存(Ram),PC端的内存通常我们简称为DDR,因此二者其实原理一样,但尺寸形态不同。
LPDDR4X并非是LPDDR4的下一代版本内存,可以看作是LPDDR4的省电优化版本。ICMAX LPDDR4X 8GB移动存储器可提供每秒34.1GB的数据传输速率,同时最大限度地降低DRAM容量增加所带来的功耗增加。相较于LPDDR4,ICMAX LPDDR4X在功耗降低了10-20%,手机运行发热度降低,提高了手机的续航能力,待机时间更长,极大提高了手机使用体验。要知道手机功耗要降低1%,在性能优化上要投数倍的努力,就是靠着对极致的追求,ICMAX才能在技术要求十分苛刻的存储芯片领域深耕十五年,不断前进推出新产品,走在行业前列。
与LPDDR4相比,LPDDR4X内存频率达到了2133MHz,且宏旺半导体ICMAX LPDDR4X在单颗容量达到了8GB,业界这样规格的产品还不多见,更难得的是宏旺半导体实现了量产。我们都知道LPDDR频率越高,内存的运行速度更快,ICMAX LPDDR4X内存频率达到2133MHz,并且在大容量加持下,存储速度上更具有优势,在运行超大游戏,或是录制4K视频的时候作用非常明显,功耗更低,运行更快也更省电。
不过需要注意的是,不是所有的手机都能用LPDDR4X内存,它对手机处理器有一定要求,因此也只有一些中高端机搭载。对于智能手机用户而言,8GB DRAM可以在超大型高分辨率屏幕上浏览应用程序,从而实现更流畅的多任务处理和更快速的搜索。宏旺半导体ICMAX不止在LPDDR4X上走在行业前列,LPDDR5也在量产规划中,