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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,27A,52m

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

MaxrDS(on)=51m廓atVGS=10V,ID=4.6A

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,4.5A,55m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2024-6-20 14:08:01
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    2020-4-23