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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

文件:178.9 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

Max rDS(on) = 51 m廓 at VGS = 10 V, ID = 4.6 A

文件:268.27 Kbytes Page:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

文件:263.73 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-10-21 14:27:01
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    2020-4-23