N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，4.5A，55mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •VGS = 10 V且ID = 4.5A时，最大rDS(on) = 55 mΩ \n•VGS = 6 V且ID = 3.7A时，最大rDS(on) = 80 mΩ \n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

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Max rDS(on) = 51 m廓 at VGS = 10 V, ID = 4.6 A

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