FDS86252价格

参考价格:¥4.8025

型号:FDS86252 品牌:Fairchild 备注:这里有FDS86252多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDS86252批发/采购报价,FDS86252行情走势销售排行榜,FDS86252报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDS86252

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

文件:263.73 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDS86252

N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,4.5A,55mΩ

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

文件:178.9 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

Max rDS(on) = 51 m廓 at VGS = 10 V, ID = 4.6 A

文件:268.27 Kbytes Page:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDS86252产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDS86252

  • 功能描述

    MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
ON(安森美)
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