N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V，16A，51mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • Shielded Gate MOSFET Technology\n•VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 51 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大rDS(on) = 70 mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

Max rDS(on) = 51 m廓 at VGS = 10 V, ID = 4.6 A

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N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，150V，12A，56mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。 • • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）\n• 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）\n• 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS= 4.5 V，ID = 3.7 A）￭ \n• 低rDS(on)和高效的高级硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

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