N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，20 A，24 mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V, ID = 7 A）\n• 最大值 rDS(on) = 38 mΩ（需 VGS = 6 V, ID = 5 A）\n• 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

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100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS=10 V、ID=7 A 时）\n• 最大 rDS(on) = 34 mΩ（VGS=4.5 V、ID=5.5 A 时）\n• 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装\n• 符合 RoHS 标准;

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ

各 N 沟道逻辑电平 MOSFET 均采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on)=24 mΩ，当 VGS=10 V、ID=6.5 A\n• 最大 rDS(on)=35 mΩ，当 VGS=4.5 V、ID=5.5 A\n• HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

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丝印代码：86102LZ；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

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