位置:FDD86102LZ > FDD86102LZ详情
FDD86102LZ中文资料
FDD86102LZ数据手册规格书PDF详情
Features
VDS= 100V, ID= 40 A
RDS(ON) < 17mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS =4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
FDD86102LZ产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD86102LZ
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
34740 |
ON/安森美全新特价FDD86102LZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ONSEMI |
NA |
40 |
全新原装!优势库存热卖中! |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
1007 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ON |
23+ |
TO252 |
26000 |
只有原装,价格最低 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
12048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
ON/安森美 |
2410+ |
SOT-252 |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
|||
ON(安森美) |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
12890 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
NK/南科功率 |
TO-252-2 |
2255 |
国产南科平替供应大量 |
FDD86102LZ 价格
参考价格:¥3.5957
FDD86102LZ 资料下载更多...
FDD86102LZ 芯片相关型号
- 1766110
- 17HS8401
- 17HS8402
- 17HS8403
- 17HS8630
- 30FWJ2CZ47M
- 630W3W3-140-3N2
- 630W3W3-140-3N3
- 630W3W3-140-3N4
- 630W3W3-140-3NA
- 630W3W3-140-3NB
- 630W3W3-140-3NC
- BI7-Q08-AP6X2-0.2-PSG3
- EEP.3E.318.CLL
- FDD86250
- NMS100
- NMS1205C
- RS-360RH-10500
- RS-360RH-14280
- RS-360RH-2885
- RS-360SA-10500
- RS-360SA-27105
- RS-360SH-2885
- RS-360SH-3545
- SMDJ5.0A-AT
- SMDJ5.0C
- TZ2788C
- TZ2788E
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 深圳市百域芯科技有限公司
BY CHIP是一个独立研发、设计生产的自主品牌,总部设于中国台湾,深圳、海外均有办事处。 BY CHIP是由拥有十年的电子元器件研发经验团队的电子人自主创立,集场效应MOS管自主研发,封测,销售的芯片一站式服务,专业研发销售SOT89、SOP8、TO252、DFN、TO263、TO220、SOT23、SOT223、TO247、TO251等封装的中低压场效应MOS管,主要应用于小家电、无线快充、无人机、电源板、电动工具、电脑主板、LED、汽车音响、移动电源、全彩屏、变频器、逆变器、电磁炉、平衡车、电动车、智能手环等,为客户提供参数选型、技术支持、定制物料。 BYCHIP的品牌口号:Buil