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FDD18N20价格
参考价格:¥3.7670
型号:FDD18N20LZ 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD18N20多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD18N20批发/采购报价,FDD18N20行情走势销售排行榜,FDD18N20报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 200V, ID= 24 A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | |||
N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 m廓 文件:1.16307 Mbytes Page:8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 18N20 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | |||
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 18N20A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:305.47 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
18A竊?00V N-CHANNEL MOSFET 文件:182.32 Kbytes Page:6 Pages | KIA 可易亚半导体 |
FDD18N20产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD18N20
- 功能描述
MOSFET 200V NChannel UniFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-252 |
10000 |
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TO-252 |
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FDD18N20规格书下载地址
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FDD14AN06,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
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2019-11-8FDD6296_NL全新原装现货
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