FDD18N20LZ价格

参考价格:¥3.7670

型号:FDD18N20LZ 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD18N20LZ多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD18N20LZ批发/采购报价,FDD18N20LZ行情走势销售排行榜,FDD18N20LZ报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDD18N20LZ

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 200V, ID= 24 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

FDD18N20LZ

N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 m廓

文件:1.16307 Mbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD18N20LZ

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:1.01032 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FDD18N20LZ

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,UniFETTM,200 V,16 A,125 mΩ,DPAK

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 18N20 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

DC-DC & DC-AC Converters for telecom,

Application · DC-DC & DC-AC Converters for telecom, industrial and consumer environment · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Switch Mode Low Power Supplies · Industrial Actuators

GOFORD

谷峰半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 18N20A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:305.47 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

18A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件:182.32 Kbytes Page:6 Pages

KIA

可易亚半导体

FDD18N20LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD18N20LZ

  • 功能描述

    MOSFET 200V NChannel UniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 17:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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