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FDD18N20LZ中文资料

厂家型号

FDD18N20LZ

文件大小

1163.07Kbytes

页面数量

8

功能描述

N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 m廓

MOSFET 200V NChannel UniFET

数据手册

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生产厂商

Fairchild Semiconductor

简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

LOGO

FDD18N20LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD18N20LZ

  • 功能描述

    MOSFET 200V NChannel UniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-29 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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FDD18N20LZ 价格

参考价格:¥3.7670

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  • FERYSTER
  • FESTO
  • FETEK

Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司

中文资料: 41473条

1955年,“晶体管之父”威廉·肖克利(WilliamBradfordShockley)离开比尔实验室,创建肖克利半导体实验室(ShockleySemiconductorLaboratory)。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快,肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职,他们是罗伯特·诺伊斯(RobertNoyce)、高登·摩尔(GordonMoore)、朱利亚斯·布兰克(JuliusBlank)、尤金·克莱尔(EugeneKleiner)、金·赫尔尼(JeanHoerni)、杰·拉斯特(JayLast)、谢尔顿·罗伯茨(SheldonRobe