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LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT

ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IGBT

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SuperJunctionFREDFET

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ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

SuperJunctionFREDFET

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-6-21 20:06:01
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    2019-12-11
  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204(SPM27-BA的包)•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥

    2013-2-15