制造商编号：
FCD850N80Z
制造商：onsemi / Fairchild
说明：
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
数据表:
FCD850N80Z 数据表 (PDF)
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET II
系列: FCD850N80Z
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 4.5 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
包装数量：2500pcs
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
