FCD850N80Z

制造商编号：

FCD850N80Z

制造商：onsemi / Fairchild

说明：

MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET

数据表:

FCD850N80Z 数据表 (PDF)

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 6 A

Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 75 W

通道模式: Enhancement

商标名: SuperFET II

系列: FCD850N80Z

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 4.5 ns

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

包装数量：2500pcs

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 40 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg