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芯片资料

参考价格：￥8.2445

型号：FCD9N60NTM 品牌：Fairchild Semiconductor 备注：这里有FCD9N60多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FCD9N60批发/采购报价，FCD9N60行情走势销售排行榜，FCD9N60报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
FCD9N60NTM	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 385mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
FCD9N60N	N-Channel MOSFET 文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCD9N60NTM	N-Channel MOSFET 文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
9N60	isc N-Channel Mosfet Transistor DESCRITION ·Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES ·Drain Current –ID= 8.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.0Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple D	ISC 无锡固电	ISC
FB9N60A	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power	IRF	IRF
BLV9N60	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages	ESTEK 伊泰克电子	ESTEK

FCD9N60供应商更多...

更新时间：2025-8-10 17:06:00

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2024-2-26
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FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15