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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.25 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INPUT CAPACITANCE ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPEARTING TEMPERATURE ■ APPLICATION

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更新时间:2026-3-15 16:38:01
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