ESDA8V2-1J价格

参考价格:¥0.2711

型号:ESDA8V2-1J 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有ESDA8V2-1J多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,ESDA8V2-1J批发/采购报价,ESDA8V2-1J行情走势销售排行榜,ESDA8V2-1J报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ESDA8V2-1J

High EOS and ESD protection level

Features Breakdown voltage VBR = 8.2 V Unidirectional device High peak power dissipation: 500 W (8/20 μs waveform) ESD protection level better than IEC 61000-4-2, level 4: 30 kV contact discharge Low leakage current (

UMW

友台半导体

ESDA8V2-1J

EOS and ESD Transil??protection for charger and battery port

文件:138.27 Kbytes Page:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

ESDA8V2-1J

封装/外壳:SC-76,SOD-323 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323 电路保护 TVS - 二极管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

1-Line Unl-directional TVS Diode

Features * 350W peak pulse power (8/20ps) * Protects one data or power line * Ultra low leakage: nA level + Operating voltage: 5V * Ultra low clamping voltage + Complies with following standards: —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +30kV/ Contact discharge: +30kV —IEC61000-

TECHPUBLIC

台舟电子

ESDA8V2-1J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ESDA8V2-1J

  • 功能描述

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 EOS ESD Transil Charger Battery Port

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 极性

    Bidirectional

  • 击穿电压

    58.9 V

  • 钳位电压

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流

    38.8 A

  • 封装/箱体

    DO-214AB

  • 最小工作温度

    - 55 C

  • 最大工作温度

    + 150 C

更新时间:2025-12-27 13:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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