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ESDA8V2-1J中文资料

厂家型号

ESDA8V2-1J

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5

功能描述

High EOS and ESD protection level

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 EOS ESD Transil Charger Battery Port

数据手册

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生产厂商

UMW

ESDA8V2-1J数据手册规格书PDF详情

Features

Breakdown voltage VBR = 8.2 V

Unidirectional device

High peak power dissipation: 500 W

(8/20 μs waveform)

ESD protection level better than

IEC 61000-4-2, level 4:

30 kV contact discharge

Low leakage current (< 0.5 μA @ 5 V)

ESDA8V2-1J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ESDA8V2-1J

  • 功能描述

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 EOS ESD Transil Charger Battery Port

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 极性

    Bidirectional

  • 击穿电压

    58.9 V

  • 钳位电压

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流

    38.8 A

  • 封装/箱体

    DO-214AB

  • 最小工作温度

    - 55 C

  • 最大工作温度

    + 150 C

更新时间:2026-2-4 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UMW(友台半导体)
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ESDA8V2-1J 价格

参考价格:¥0.2711

型号:ESDA8V2-1J 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有ESDA8V2-1J多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,ESDA8V2-1J批发/采购报价,ESDA8V2-1J行情走势销售排排榜,ESDA8V2-1J报价。