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ESDA8V2-1J中文资料
ESDA8V2-1J数据手册规格书PDF详情
Features
Breakdown voltage VBR = 8.2 V
Unidirectional device
High peak power dissipation: 500 W
(8/20 μs waveform)
ESD protection level better than
IEC 61000-4-2, level 4:
30 kV contact discharge
Low leakage current (< 0.5 μA @ 5 V)
ESDA8V2-1J产品属性
- 类型
描述
- 型号
ESDA8V2-1J
- 功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 EOS ESD Transil Charger Battery Port
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 极性
Bidirectional
- 击穿电压
58.9 V
- 钳位电压
77.4 V
- 峰值浪涌电流
38.8 A
- 封装/箱体
DO-214AB
- 最小工作温度
- 55 C
- 最大工作温度
+ 150 C
更新时间：2025-10-6 9:30:00
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ESDA8V2-1J 价格
参考价格：￥0.2711
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